近日，电信学院智能感知与信息处理研究所邓涛副教授课题组在国际纳米科学技术领域权威刊物《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《基于三维石墨烯场效应管的高性能光电传感器》（Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High Performance Photodetectors）的研究论文。审稿人对该研究工作给予了高度评价，认为该研究克服了现有石墨烯光电传感器超高响应度与超宽带宽难以兼得的难题，对二维材料研究领域具有重要意义。

该研究提出了一种利用氮化硅应力层驱动平面二维（2D）石墨烯场效应管（GFET）自卷曲为三维（3D）GFET的方法，首次制造出了卷曲层数（1-5）和半径（30 μm-65 μm）精确可控的3D GFET阵列。这种3D GFET可用作光电传感器，工作波长范围从紫外光（325 nm）区域一直延伸至太赫兹（119 μm）区域，为已经报道的基于石墨烯材料的光电传感器之最。同时，这种3D GFET具有超高的响应度和超快的响应速度，在紫外至可见光区域的响应度高达1 A/W以上，在太赫兹区域的响应度可达0.23 A/W，响应时间快至265 ns。

邓涛为该论文的第一作者和通讯作者，清华大学微纳电子学系刘泽文教授为共同通讯作者。该研究得到了国家自然科学基金、北京市自然科学基金和中央高校基本科研业务费项目的支持。

文章链接：https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acs.nanolett.8b04099