2025年7月24日，我校物理科学与工程学院教授唐爱伟和博士满忠伟作为共同通讯作者，硕士研究生陈仲为第一作者，在Nature子刊，国际顶级光学期刊Light: Science & Applications在线发表重要创新成果，在显示领域取得重大突破。

该研究成果2025年7月24日以“Rigid crosslinker-assisted nondestructive direct photolithograph for patterned QLED displays”为题发表在Light: Science & Applications上（DOI：10.1038/s41377-025-01918-7）。

北京交通大学为论文唯一完成单位，唐爱伟和满忠伟为该论文的共同通讯作者，我校硕士研究生陈仲为第一作者。该研究得到了北京市自然科学基金重点研究专题项目、国家重点研发计划课题和国家自然科学基金的支持。

胶体半导体量子点发光二极管（QLED）凭借其优异的光电性能和溶液加工特性，已成为显示领域的下一代有力竞争者。目前红绿蓝三色QLED器件的效率已接近理论极限，产业化进程加速。

然而，VR/AR等新型显示应用对高分辨率量子点阵列提出了更高要求，现有图案化技术如喷墨打印、转移印刷和传统光刻等在分辨率、产量和材料兼容性方面存在局限，特别是传统光刻工艺容易损伤量子点纳米结构导致其光电性能下降。为此，开发高分辨直接光刻技术以保持QLED器件性能成为当前的研究热点。

基于刚性交联剂实现高分辨率量子点图案化

为解决上述难题，滕枫、唐爱伟团队创新性设计了一种刚性桥联结构的光交联剂CPTA，成功实现了量子点材料在光刻工艺中的无损图案化。采用该技术制备的红光图案化QLED器件的峰值外量子效率（EQE）为21%，与未经图案化的原始器件性能相当。红绿蓝三基色量子点图案化的像素密度高达6350像素/英寸（PPI），最小线宽仅为1微米。这项技术突破了传统光刻技术造成量子点光电性能下降的瓶颈，为下一代高分辨率QLED显示技术的发展提供了关键技术支撑。

团队介绍：

陈仲

北京交通大学物理科学与工程学院硕士生，以第一作者（共同第一作者）身份发表SCI一区TOP论文3篇，其中一篇论文入选《Nano Research》封面文章，并获得2024年最佳封面奖。在读期间主持研究生创新项目1项，获得北京交通大学优秀共青团员、北京交通大学校级三好研究生、院级优秀共产党员，同时担任物研2303班班长和研究生第三党支部支委。

满忠伟

北京交通大学物理科学与工程学院讲师，2023年博士毕业于天津大学，入选北京交通大学青年英才和国家资助博士后研究人员计划（B类）。主要从事新型显示技术及器件图案化工作，在Light: Sci. Appl., J.Am.Chem.Soc.等国内外学术期刊发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利3项。主持国家自然科学基金、博士后科学基金等国家和省部级项目3项。

唐爱伟

北京交通大学物理科学与工程学院教授、博士生导师、现任物理科学与工程学院院长。主要从事量子点发光材料与器件方面的研究工作。目前主持和完成多项国家自然科学基金、北京市自然科学基金重点项目等国家和省部级项目。在Nature, Light: Sci. Appl., Nat. Commun.等国际知名学术期刊上发表学术论文160余篇，获得授权国家发明专利6项。曾入选北京交通大学首批卓越百人计划，获得北京交通大学五四青年奖章、北京交通大学优秀主讲教师称号等。目前担任《发光学报》《液晶与显示》等期刊的编委。

论文链接：https://www.nature.com/articles/s41377-025-01918-7